SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/boîte : | SOIC-8 |
| Polarité des transistors : | Canal N |
| Nombre de canaux: | 2 canaux |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 60V |
| Id - Courant de drain continu : | 5,3 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 58 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 1V |
| Qg - Frais de porte : | 13 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 3,1W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | TrenchFET |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Vishay Semiconducteurs |
| Configuration: | Double |
| Temps d'automne : | 10ns |
| Transconductance directe - Min : | 15 S |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 15 ns, 65 ns |
| Série: | SI9 |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 2500 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 2 canaux N |
| Délai de désactivation typique : | 10 ns, 15 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 15 ns, 20 ns |
| Alias de référence : | SI9945BDY-GE3 |
| Unité de poids: | 750mg |
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• Inverseur TV LCD CCFL
• Commutateur de charge
