NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur d'attribution |
| Fabricant : | onsemi |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie : | Si |
| Estilo de montage: | CMS/CMS |
| Paquete / Cubierta : | SC-88-6 |
| Polarité du transistor : | Canal N |
| Numéro de canaux : | 2 canaux |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente : | 60V |
| Id - Corriente de drenaje continua : | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1,6 Ohm |
| Vgs - Tension entre la porte et la source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente : | 1V |
| Qg - Carga de puerta : | 900 pièces |
| Température de travail minimale : | - 55 C |
| Température de travail maximale : | + 150 C |
| Dp - Disipation de puissance : | 250mW |
| Canal de Modo : | Renforcement |
| Empaqué : | Bobine |
| Empaqué : | Couper le ruban |
| Empaqué : | SourisReel |
| Marque : | onsemi |
| Configuration : | Double |
| Temps de caïda : | 32 ns |
| Altura : | 0,9 mm |
| Longitude : | 2 millimètres |
| Type de produit : | MOSFET |
| Temps de subida : | 34 ns |
| Série : | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 2 canaux N |
| Tiempo de retardo de apagado típico : | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido : | 22 ns |
| Ancho : | 1,25 millimètres |
| Peso de l'unité : | 0,000212 oz |
• RDS faible (activé)
• Seuil de porte bas
• Faible capacité d'entrée
• Portail protégé ESD
• Préfixe NVJD pour les applications automobiles et autres nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle ;Certifié AEC−Q101 et compatible PPAP
• Ceci est un appareil sans plomb
• Commutateur de charge latérale faible
• Convertisseurs CC-CC (circuits abaisseurs et élévateurs)
