NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR

Brève description:

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single

Fiche de données:NTK3043NT1G

Descriptif : MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: onsemi
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : SOT-723-3
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20V
Id - Courant de drain continu : 255mA
Rds activé - Résistance drain-source : 3,4 ohms
Vgs - Tension porte-source : - 10 V, + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 400 mV
Qg - Frais de porte : -
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 440mW
Mode Canal : Renforcement
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: onsemi
Configuration: Seul
Temps d'automne : 15 ns
Transconductance directe - Min : 0,275 S
Hauteur: 0,5 mm
Longueur: 1,2 mm
Produit: Petit signal MOSFET
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 15 ns
Série: NTK3043N
Quantité de l'emballage d'usine : 4000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Taper: MOSFET
Délai de désactivation typique : 94 ns
Délai de mise en marche typique : 13 ns
Largeur: 0,8 millimètres
Unité de poids: 0,000045 oz

  • Précédent:
  • Suivant:

  • • Permet la fabrication de circuits imprimés haute densité

    • Encombrement réduit de 44 % par rapport au SC-89 et 38 % plus fin que le SC-89

    • L'entraînement basse tension rend cet appareil idéal pour les équipements portables

    • Niveaux de seuil bas, VGS(TH) < 1,3 V

    • Le profil bas (< 0,5 mm) lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements extrêmement minces tels que l'électronique portable

    • Opéré au niveau logique standard Gate Drive, facilitant la migration future vers des niveaux inférieurs en utilisant la même topologie de base

    • Ce sont des appareils sans plomb et sans halogène

    • Interfaçage, Commutation

    • Commutation à grande vitesse

    • Téléphones cellulaires, PDA

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