FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

Brève description:

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single

Fiche de données:FDN360P

Descriptif : MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur d'attribution
Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie : Si
Estilo de montage: CMS/CMS
Paquete / Cubierta : SSOT-3
Polarité du transistor : Canal P
Numéro de canaux : 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente : 30V
Id - Corriente de drenaje continua : 2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 63 mOhms
Vgs - Tension entre la porte et la source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente : 3V
Qg - Carga de puerta : 9 nC
Température de travail minimale : - 55 C
Température de travail maximale : + 150 C
Dp - Disipation de puissance : 500mW
Canal de Modo : Renforcement
Nom commercial : PowerTrench
Empaqué : Bobine
Empaqué : Couper le ruban
Empaqué : SourisReel
Marque : onsemi / Fairchild
Configuration : Seul
Temps de caïda : 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 5S
Altura : 1,12 millimètres
Longitude : 2,9 millimètres
Produit : Petit signal MOSFET
Type de produit : MOSFET
Temps de subida : 13 ns
Série : FDN360P
Cantidad de empaque de fábrica : 3000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico : 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido : 6 ns
Ancho : 1,4 mm
Alias ​​de las piezas n.º : FDN360P_NL
Peso de l'unité : 0,001058 oz

♠ Canal P unique, MOSFET PowerTrenchÒ

Ce MOSFET de niveau logique à canal P est produit à l'aide du processus de tranchée de puissance avancé d'ON Semiconductor qui a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant une faible charge de grille pour des performances de commutation supérieures.

Ces dispositifs sont bien adaptés aux applications basse tension et alimentées par batterie où une faible perte de puissance en ligne et une commutation rapide sont requises.


  • Précédent:
  • Suivant:

  • · –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V

    · Faible charge de grille (6,2 nC typique) · Technologie de tranchée haute performance pour RDS(ON) extrêmement faible .

    · Version haute puissance du package SOT-23 standard de l'industrie.Brochage identique au SOT-23 avec une capacité de gestion de puissance 30 % supérieure.

    · Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS

    Produits connexes