FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur d'attribution |
| Fabricant : | onsemi |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie : | Si |
| Estilo de montage: | CMS/CMS |
| Paquete / Cubierta : | SSOT-3 |
| Polarité du transistor : | Canal P |
| Numéro de canaux : | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente : | 30V |
| Id - Corriente de drenaje continua : | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhms |
| Vgs - Tension entre la porte et la source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente : | 3V |
| Qg - Carga de puerta : | 9 nC |
| Température de travail minimale : | - 55 C |
| Température de travail maximale : | + 150 C |
| Dp - Disipation de puissance : | 500mW |
| Canal de Modo : | Renforcement |
| Nom commercial : | PowerTrench |
| Empaqué : | Bobine |
| Empaqué : | Couper le ruban |
| Empaqué : | SourisReel |
| Marque : | onsemi / Fairchild |
| Configuration : | Seul |
| Temps de caïda : | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5S |
| Altura : | 1,12 millimètres |
| Longitude : | 2,9 millimètres |
| Produit : | Petit signal MOSFET |
| Type de produit : | MOSFET |
| Temps de subida : | 13 ns |
| Série : | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal P |
| Type : | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico : | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido : | 6 ns |
| Ancho : | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º : | FDN360P_NL |
| Peso de l'unité : | 0,001058 oz |
♠ Canal P unique, MOSFET PowerTrenchÒ
Ce MOSFET de niveau logique à canal P est produit à l'aide du processus de tranchée de puissance avancé d'ON Semiconductor qui a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant une faible charge de grille pour des performances de commutation supérieures.
Ces dispositifs sont bien adaptés aux applications basse tension et alimentées par batterie où une faible perte de puissance en ligne et une commutation rapide sont requises.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Faible charge de grille (6,2 nC typique) · Technologie de tranchée haute performance pour RDS(ON) extrêmement faible .
· Version haute puissance du package SOT-23 standard de l'industrie.Brochage identique au SOT-23 avec une capacité de gestion de puissance 30 % supérieure.
· Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS
