SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | SOT-23-3 |
| Polarité des transistors : | Canal P |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 8V |
| Id - Courant de drain continu : | 5,8 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 35 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 1V |
| Qg - Frais de porte : | 12 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 1,7 W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | TrenchFET |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Vishay Semiconducteurs |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 10ns |
| Hauteur: | 1,45 millimètres |
| Longueur: | 2,9 millimètres |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 20ns |
| Série: | SI2 |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal P |
| Délai de désactivation typique : | 40ns |
| Délai de mise en marche typique : | 20ns |
| Largeur: | 1,6 mm |
| Alias de référence : | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Unité de poids: | 0,000282 oz |
• Sans halogène Selon la définition CEI 61249-2-21
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• Testé à 100 % Rg
• Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE
• Commutateur de charge pour appareils portables
• Convertisseur CC/CC
