NTMFS4C029NT1G MOSFET TRANCHÉE 6 30V NCH
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | SO-8FL-4 |
| Polarité des transistors : | Canal N |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 30V |
| Id - Courant de drain continu : | 46 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 4,9 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 2,2 V |
| Qg - Frais de porte : | 18,6 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 23,6W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | onsemi |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 7 ns |
| Transconductance directe - Min : | 43 S |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 34 ns |
| Série: | NTMFS4C029N |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 1500 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N |
| Délai de désactivation typique : | 14 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 9 ns |
| Unité de poids: | 0,026455 oz |
• Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
• Faible capacité pour minimiser les pertes de conducteur
• Charge de porte optimisée pour minimiser les pertes de commutation
• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à RoHS
• Alimentation du processeur
• Convertisseurs CC-CC
