NTJD4001NT1G MOSFET 30 V 250 mA double canal N
♠ Description du produit
Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
Fabricant: | sursemi |
Catégorie de produit : | MOSFET |
RoHS : | Détails |
Technologie: | Si |
Style de montage : | CMS/CMS |
Emballage / Étui : | SC-88-6 |
Polarité du transistor : | canal N |
Nombre de canaux : | 2 canaux |
Vds - Tension de claquage drain-source : | 30 V |
Id - Courant de drain continu : | 250 mA |
Rds On - Résistance Drain-Source : | 1,5 Ohm |
Vgs - Tension grille-source : | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 800 mV |
Qg - Frais de porte : | 900 pC |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 °C |
Pd - Dissipation de puissance : | 272 mW |
Mode canal : | Renforcement |
Conditionnement: | Bobine |
Conditionnement: | Couper le ruban |
Conditionnement: | MouseReel |
Marque: | sursemi |
Configuration: | Double |
Temps d'automne : | 82 ns |
Transconductance directe - Min : | 80 mS |
Hauteur: | 0,9 mm |
Longueur: | 2 mm |
Produit: | MOSFET petit signal |
Type de produit : | MOSFET |
Temps de montée : | 23 ns |
Série: | NTJD4001N |
Quantité du pack d'usine : | 3000 |
Sous-catégorie: | MOSFET |
Type de transistor : | 2 canaux N |
Délai d'arrêt typique : | 94 ns |
Délai de mise en marche typique : | 17 ns |
Largeur: | 1,25 mm |
Poids unitaire : | 0,010229 oz |
• Faible charge de grille pour une commutation rapide
• Faible encombrement − 30 % plus petit que le TSOP−6
• Porte protégée ESD
• Qualifié AEC Q101 − NVTJD4001N
• Ces appareils sont sans plomb et conformes à la directive RoHS
• Interrupteur de charge côté bas
• Appareils alimentés par batterie Li-Ion − Téléphones portables, PDA, DSC
• Convertisseurs abaisseurs de tension
• Changements de niveau