NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA double canal N

Brève description:

Fabricants : ON Semiconductor
Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Arrays
Fiche de données:NTJD4001NT1G
Désignation : MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: onsemi
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : SC-88-6
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 30V
Id - Courant de drain continu : 250 mA
Rds activé - Résistance drain-source : 1,5 Ohm
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 800 mV
Qg - Frais de porte : 900 pièces
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 272mW
Mode Canal : Renforcement
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: onsemi
Configuration: Double
Temps d'automne : 82 ns
Transconductance directe - Min : 80 millisecondes
Hauteur: 0,9 mm
Longueur: 2 millimètres
Produit: Petit signal MOSFET
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 23 ns
Série: NTJD4001N
Quantité de l'emballage d'usine : 3000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 2 canaux N
Délai de désactivation typique : 94 ns
Délai de mise en marche typique : 17 ns
Largeur: 1,25 millimètres
Unité de poids: 0,010229 oz

 


  • Précédent:
  • Suivant:

  • • Charge de porte faible pour une commutation rapide

    • Faible encombrement − 30 % plus petit que TSOP−6

    • Portail protégé ESD

    • Qualifié AEC Q101 − NVTJD4001N

    • Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS

    • Commutateur de faible charge latérale

    • Appareils alimentés par batterie Li−Ion − Téléphones portables, PDA, DSC

    • Convertisseurs Buck

    • Changements de niveau

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