BSC072N08NS5 MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8

Brève description:

Fabricants : Infineon Technologies
Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single
Fiche de données:BSC072N08NS5
Désignation : MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : TDSON-8
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 80V
Id - Courant de drain continu : 74 A
Rds activé - Résistance drain-source : 7,2 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2,2 V
Qg - Frais de porte : 24 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 69 watts
Mode Canal : Renforcement
Nom commercial : OptiMOS
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Seul
Temps d'automne : 5 ns
Transconductance directe - Min : 31 S
Hauteur: 1,27 millimètres
Longueur: 5,9 millimètres
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 7 ns
Série: OptiMOS 5
Quantité de l'emballage d'usine : 5000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Délai de désactivation typique : 19 ns
Délai de mise en marche typique : 10ns
Largeur: 5,15 millimètres
Alias ​​de référence : BSC072N08NS5 SP001232628
Unité de poids: 0,003683 oz

 


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  • • Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.

    • Testé à 100 % contre les avalanches

    • Résistance thermique supérieure

    • Canal N

    • Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles

    • Placage sans plomb ; conforme RoHS

    •Sans halogèneselonIEC61249-2-21

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