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IPD90N06S4-04 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Image principale du MOSFET IPD90N06S4-04, canal N 60 V, 90 A, DPAK-2, OptiMOS-T2
  • IPD90N06S4-04 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Brève description :

Fabricants : Infineon

Catégorie de produit : MOSFET

Fiche de données:IPD90N06S4-04

Description : Transistor de puissance OptiMOS® -T2

Statut RoHS : conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : TO-252-3
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 60 V
Id - Courant de drain continu : 90 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 3,8 mOhms
Nom commercial : OptiMOS
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Célibataire
Hauteur: 2,3 mm
Longueur: 6,5 mm
Type de produit : MOSFET
Série: OptiMOS-T2
Quantité du pack d'usine : 2500
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Largeur: 6,22 mm
Partie # Alias : SP000374323 IPD9N6S44XT IPD90N06S404ATMA1
Poids unitaire : 0,011640 oz

  • Précédent: Module PMIC 5 V PWM SPS avec QFN 5 haute précision intégré Cu 32L
  • Suivant: Microcontrôleurs 32 bits SPC560B40L3B4E0X – MCU 32 bits Pwr Architect MCU Carrosserie automobile

  • • Canal N – Mode d'amélioration

    • Qualifié AEC

    • MSL1 jusqu'à 260°C de refusion maximale

    • Température de fonctionnement de 175 °C

    • Produit vert (conforme RoHS)

    • 100 % testé contre les avalanches

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