IDW30G120C5BFKSA1 Diodes et redresseurs Schottky SIC CHIP/DISCRETE
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Catégorie de produit: | Diodes et redresseurs Schottky |
| RoHS : | Détails |
| Produit: | Diodes au carbure de silicium Schottky |
| Style de montage : | À travers le trou |
| Paquet/Boîte : | TO-247-3 |
| Configuration: | Cathode commune à double anode |
| Technologie: | SiC |
| Si - Courant direct : | 30 A |
| Vrrm - Tension inverse répétitive : | 1,2 kV |
| Vf - Tension directe : | 1,4V |
| Ifsm - Courant de surtension direct : | 240 A |
| Ir - Courant inverse : | 17 uA |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 175 C |
| Série: | IDW30G120C5 |
| Emballage: | Tube |
| Marque: | Infineon Technologies |
| Pd - Dissipation de puissance : | 332W |
| Type de produit: | Diodes et redresseurs Schottky |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 240 |
| Sous-catégorie : | Diodes et redresseurs |
| Nom commercial : | CoolSiC |
| Vr - Tension inverse : | 1,2 kV |
| Alias de référence : | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Unité de poids: | 1,340411 oz |
·Matériau semi-conducteur révolutionnaire – Carbure de silicium
·Pas de courant de récupération inverse / Pas de récupération directe
·Comportement de commutation indépendant de la température
·Tension directe faible même à température de fonctionnement élevée
·Distribution de tension directe serrée
·Excellentes performances thermiques
·Capacité de courant de surtension étendue
·Robustesse dv/dt spécifiée
·Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
·placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS
·Onduleurs solaires
·Alimentations sans interruption
·Motorisations
·Correction du facteur de puissance
