FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur d'attribution |
| Fabricant : | onsemi |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie : | Si |
| Estilo de montage: | CMS/CMS |
| Paquete / Cubierta : | SSOT-3 |
| Polarité du transistor : | Canal N |
| Numéro de canaux : | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente : | 30V |
| Id - Corriente de drenaje continua : | 2,2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhms |
| Vgs - Tension entre la porte et la source : | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente : | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta : | 9 nC |
| Température de travail minimale : | - 55 C |
| Température de travail maximale : | + 150 C |
| Dp - Disipation de puissance : | 500mW |
| Canal de Modo : | Renforcement |
| Empaqué : | Bobine |
| Empaqué : | Couper le ruban |
| Empaqué : | SourisReel |
| Marque : | onsemi / Fairchild |
| Configuration : | Seul |
| Temps de caïda : | 10ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altura : | 1,12 millimètres |
| Longitude : | 2,9 millimètres |
| Produit : | Petit signal MOSFET |
| Type de produit : | MOSFET |
| Temps de subida : | 10ns |
| Série : | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N |
| Type : | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico : | 17 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido : | 4 ns |
| Ancho : | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º : | FDN337N_NL |
| Peso de l'unité : | 0,001270 oz |
♠ Transistor - Canal N, niveau logique, effet de champ en mode d'amélioration
Les transistors à effet de champ de puissance en mode d'amélioration de niveau logique SUPERSOT-3 N-Channel sont produits à l'aide de la technologie DMOS exclusive à haute densité de cellules d'onsemi.Ce procédé à très haute densité est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant.Ces dispositifs sont particulièrement adaptés aux applications basse tension dans les ordinateurs portables, les téléphones portables, les cartes PCMCIA et autres circuits alimentés par batterie où une commutation rapide et une faible perte de puissance en ligne sont nécessaires dans un très petit boîtier à montage en surface.
• 2,2 A, 30 V
♦ RDS(on) = 0,065 @ VGS = 4,5 V
♦ RDS(on) = 0,082 @ VGS = 2,5 V
• Ensemble de montage en surface SOT−23 standard de l'industrie utilisant la conception exclusive SUPERSOT−3 pour des capacités thermiques et électriques supérieures
• Conception de cellule haute densité pour un RDS extrêmement faible (on)
• Résistance exceptionnelle à l'état passant et capacité maximale de courant continu
• Cet appareil est sans plomb et sans halogène
