AUIRFN8459TR MOSFET 40V double canal N HEXFET

Brève description:

Fabricants : Infineon Technologies

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Arrays

Fiche de données:AUIRFN8459TR

Désignation : MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : PQFN-8
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 40V
Id - Courant de drain continu : 70 A
Rds activé - Résistance drain-source : 5,9 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3V
Qg - Frais de porte : 40 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 175 C
Pd - Dissipation de puissance : 50W
Mode Canal : Renforcement
Qualification: AEC-Q101
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Double
Temps d'automne : 42 ns
Transconductance directe - Min : 66 S
Hauteur: 1,2 mm
Longueur: 6 millimètres
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 55ns
Quantité de l'emballage d'usine : 4000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 2 canaux N
Délai de désactivation typique : 25ns
Délai de mise en marche typique : 10ns
Largeur: 5 millimètres
Alias ​​de référence : AUIRFN8459TR SP001517406
Unité de poids: 0,004308 oz

♠ HEXFET MOSFET 40V double canal N

Spécialement conçu pour les applications automobiles, ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de ce produit un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'automobile et une grande variété d'autres applications.


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  •  Technologie de processus avancée

     MOSFET double canal N

     Ultra faible résistance à l'allumage

     Température de fonctionnement de 175 °C

     Commutation rapide

     Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax

     Sans plomb, conforme RoHS

     Qualification automobile *

     Systèmes automobiles 12V

     Moteur à courant continu brossé

     Freinage

     Transmission

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