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AUIRFN8459TR MOSFET 40 V double canal N HEXFET

AUIRFN8459TR MOSFET 40 V double canal N HEXFET (image en vedette)
  • AUIRFN8459TR MOSFET 40 V double canal N HEXFET

Brève description :

Fabricants : Infineon Technologies

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Réseaux

Fiche de données:AUIRFN8459TR

Description : MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : PQFN-8
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 40 V
Id - Courant de drain continu : 70 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 5,9 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Qg - Frais de porte : 40 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 175 °C
Pd - Dissipation de puissance : 50 W
Mode canal : Renforcement
Qualification: AEC-Q101
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Double
Temps d'automne : 42 ns
Transconductance directe - Min : 66 S
Hauteur: 1,2 mm
Longueur: 6 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 55 ns
Quantité du pack d'usine : 4000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 2 canaux N
Délai d'arrêt typique : 25 ns
Délai de mise en marche typique : 10 ns
Largeur: 5 mm
Partie # Alias : AUIRFN8459TR SP001517406
Poids unitaire : 0,004308 oz

♠ MOSFET 40V Double canal N HEXFET

Spécialement conçu pour les applications automobiles, ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une résistance à l'état passant extrêmement faible par surface de silicium. Il se distingue également par une température de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives. Ces caractéristiques combinées font de ce produit un composant extrêmement efficace et fiable pour l'automobile et une grande variété d'autres applications.


  • Précédent: Circuit intégré de potentiomètre numérique AD5293BRUZ-20, 1 024 prises, 1 % digiPOT avec interface SPI
  • Suivant: LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – Réseau de portes programmables par l'utilisateur 2112 LUT 207 E/S 3,3 V 4 vitesses

  •  Technologie de processus avancée

     MOSFET double canal N

     Résistance à l'état passant ultra faible

     Température de fonctionnement de 175 °C

     Commutation rapide

     Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax

     Sans plomb, conforme RoHS

     Qualification automobile *

     Systèmes automobiles 12 V

     Moteur à courant continu à balais

     Freinage

     Transmission

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