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Circuits intégrés de commutation de puissance VNB35N07TR-E – Distribution d'énergie MOSFET d'alimentation à protection entièrement automatique OMNIFETII

Circuits intégrés de commutation de puissance VNB35N07TR-E – Distribution d'énergie MOSFET d'alimentation à protection entièrement automatique OMNIFETII Image en vedette
  • Circuits intégrés de commutation de puissance VNB35N07TR-E – Distribution d'énergie MOSFET d'alimentation à protection entièrement automatique OMNIFETII

Brève description :

Fabricants : STMicroelectronics
Catégorie de produit : PMIC – Commutateurs de distribution d'énergie, pilotes de charge
Fiche de données:VNB35N07TR-E
Description : MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie de produit : Circuits intégrés de commutation de puissance - Distribution d'énergie
Taper: Côté bas
Nombre de sorties : 1 sortie
Limite de courant : 35 A
Sur la résistance - Max : 28 mOhms
À l'heure - Max : 200 ns
Temps d'arrêt - Max : 1 nous
Tension d'alimentation de fonctionnement : 28 V
Température minimale de fonctionnement : - 40 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : D2PAK-3
Série: VNB35N07-E
Qualification: AEC-Q100
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Sensible à l'humidité : Oui
Pd - Dissipation de puissance : 125 000 mW
Type de produit : Circuits intégrés de commutation de puissance - Distribution d'énergie
Quantité du pack d'usine : 1000
Sous-catégorie: Circuits intégrés de commutation
Poids unitaire : 0,079014 oz

♠ OMNIFET : MOSFET de puissance entièrement autoprotégé

Les VNP35N07-E, VNB35N07-E et VNV35N07-E sont des dispositifs monolithiques fabriqués à l'aide de la technologie STMicroelectronics VIPower®, destinés au remplacement des MOSFET de puissance standard dans les applications DC à 50 KHz.

L'arrêt thermique intégré, la limitation de courant linéaire et la pince de surtension protègent la puce dans les environnements difficiles.

Le retour d'erreur peut être détecté en surveillant la tension au niveau de la broche d'entrée.


  • Précédent: Microcontrôleurs ARM STM32F302K8U6TR – MCU MCU à signaux mixtes grand public Cœur Arm Cortex-M4 DSP et FPU, 64 Ko de Flash 7
  • Suivant: Régulateurs de tension LDO TLE42754GATMA1 LINEAR VLTGE REG

  • • Qualifié en automobile
    • Limitation de courant linéaire
    • Arrêt thermique
    • Protection contre les courts-circuits
    • Pince intégrée
    • Faible courant tiré de la broche d'entrée
    • Retour de diagnostic via la broche d'entrée
    • Protection ESD
    • Accès direct à la grille du MOSFET de puissance (pilotage analogique)
    • Compatible avec les MOSFET de puissance standard
    • Boîtier TO-220 standard
    • Conforme à la directive européenne 2002/95/CE

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