SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

Brève description:

Fabricants : Vishay / Siliconix

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single

Fiche de données:SUD50P10-43L-E3

Descriptif : MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: Vishay
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : TO-252-3
Polarité des transistors : Canal P
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 100V
Id - Courant de drain continu : 37.1 A
Rds activé - Résistance drain-source : 43 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1V
Qg - Frais de porte : 106 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 175 C
Pd - Dissipation de puissance : 136W
Mode Canal : Renforcement
Nom commercial : TrenchFET
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: Vishay Semiconducteurs
Configuration: Seul
Temps d'automne : 100ns
Transconductance directe - Min : 38 S
Hauteur: 2,38 millimètres
Longueur: 6,73 millimètres
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 20 ns, 160 ns
Série: SUD
Quantité de l'emballage d'usine : 2000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal P
Délai de désactivation typique : 100 ns, 110 ns
Délai de mise en marche typique : 15 ns, 42 ns
Largeur: 6,22 millimètres
Alias ​​de référence : SUD50P10-43L-BE3
Unité de poids: 0,011640 oz

 


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  • Suivant:

  • • MOSFET de puissance TrenchFET®

    • Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE

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