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MOSFET SUD50P06-15-GE3 60 V 50 A 113 W 15 mohm à 10 V

MOSFET SUD50P06-15-GE3 60 V 50 A 113 W 15 mohm à 10 V (Image en vedette)
  • MOSFET SUD50P06-15-GE3 60 V 50 A 113 W 15 mohm à 10 V

Brève description :

Fabricants : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Fiche de données:SUD50P06-15-GE3
Description :MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

APPLICATIONS

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage/Caisse : TO-252-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 60 V
Id - Courant de drain continu : 50 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 15 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Qg - Frais de porte : 40 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 113 O
Mode canal : Renforcement
Nom commercial : TrenchFET
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Vishay Semiconductors
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 30 ns
Transconductance directe - Min : 61 S
Hauteur: 2,38 mm
Longueur: 6,73 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 9 ns
Série: SUD
Quantité du pack d'usine : 2000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal P
Délai d'arrêt typique : 65 ns
Délai de mise en marche typique : 8 ns
Largeur: 6,22 mm
Partie # Alias : SUD50P06-15-BE3
Poids unitaire : 330 mg

  • Précédent: MOSFET SI7119DN-T1-GE3 - 200 Vds 20 Vgs PowerPAK 1212-8
  • Suivant: CI de commutation analogique DG441DY-T1-E3 QUAD SPST ANALOG SWITC

  • • MOSFET de puissance TrenchFET®

     

    • Interrupteur de charge

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