SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

Brève description:

Fabricants : Vishay / Siliconix

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single

Fiche de données: SUD19P06-60-GE3

Description : MOSFET P-CH 60 V 18,3 A TO-252

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: Vishay
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : TO-252-3
Polarité des transistors : Canal P
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 60V
Id - Courant de drain continu : 50 A
Rds activé - Résistance drain-source : 60 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3V
Qg - Frais de porte : 40 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 113W
Mode Canal : Renforcement
Nom commercial : TrenchFET
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: Vishay Semiconducteurs
Configuration: Seul
Temps d'automne : 30ns
Transconductance directe - Min : 22 S
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 9 ns
Série: SUD
Quantité de l'emballage d'usine : 2000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal P
Délai de désactivation typique : 65ns
Délai de mise en marche typique : 8 ns
Alias ​​de référence : SUD19P06-60-BE3
Unité de poids: 0,011640 oz

  • Précédent:
  • Suivant:

  • • Sans halogène Selon la définition CEI 61249-2-21

    • MOSFET de puissance TrenchFET®

    • 100 % testé UIS

    • Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE

    • Commutateur côté haut pour convertisseur de pont complet

    • Convertisseur CC/CC pour écran LCD

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