STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500 V 6 ohms 2,5 A PowerMESH
♠ Description du produit
Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
Fabricant: | STMicroelectronics |
Catégorie de produit : | MOSFET |
RoHS : | Détails |
Technologie: | Si |
Style de montage : | CMS/CMS |
Emballage/Caisse : | H2PAK-2 |
Polarité du transistor : | canal N |
Nombre de canaux : | 1 canal |
Vds - Tension de claquage drain-source : | 1,5 kV |
Id - Courant de drain continu : | 2,5 A |
Rds On - Résistance Drain-Source : | 9 Ohms |
Vgs - Tension grille-source : | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 3 V |
Qg - Frais de porte : | 29,3 nC |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 °C |
Pd - Dissipation de puissance : | 140 W |
Mode canal : | Renforcement |
Nom commercial : | PowerMESH |
Conditionnement: | Bobine |
Conditionnement: | Couper le ruban |
Conditionnement: | MouseReel |
Marque: | STMicroelectronics |
Configuration: | Célibataire |
Temps d'automne : | 61 ns |
Transconductance directe - Min : | 2,6 S |
Type de produit : | MOSFET |
Temps de montée : | 47 ns |
Série: | STH3N150-2 |
Quantité du pack d'usine : | 1000 |
Sous-catégorie: | MOSFET |
Type de transistor : | 1 MOSFET de puissance à canal N |
Délai d'arrêt typique : | 45 ns |
Délai de mise en marche typique : | 24 ns |
Poids unitaire : | 4 g |
♠ MOSFET de puissance PowerMESH canal N 1 500 V, 2,5 A, 6 Ω typ., en boîtiers TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 et TO247
Ces MOSFET de puissance sont conçus selon le procédé MESH OVERLAY de STMicroelectronics, basé sur un tracé de bande consolidé. Il en résulte un produit dont les performances égalent, voire surpassent, celles des composants standard comparables d'autres fabricants.
• 100 % testé contre les avalanches
• Capacités intrinsèques et Qg minimisées
• Commutation à grande vitesse
• Boîtier en plastique TO-3PF entièrement isolé, la distance de fuite est de 5,4 mm (typ.)
• Changement d'application