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MOSFET de puissance SuperMESH STD4NK100Z canal N de qualité automobile 1 000 V, 5,6 ohms typ. 2,2 A

MOSFET de puissance SuperMESH STD4NK100Z, canal N, 1 000 V, 5,6 ohms typ. 2,2 A, qualité automobile. Image en vedette
  • MOSFET de puissance SuperMESH STD4NK100Z canal N de qualité automobile 1 000 V, 5,6 ohms typ. 2,2 A

Brève description :

Fabricants : STMicroelectronics
Catégorie de produit : MOSFET
Fiche de données:STD4NK100Z
Description : MOSFET de puissance
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : TO-252-3
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 1 kV
Id - Courant de drain continu : 2,2 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 6,8 Ohms
Vgs - Tension grille-source : - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 4,5 V
Qg - Frais de porte : 18 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 90 W
Mode canal : Renforcement
Qualification: AEC-Q101
Nom commercial : SuperMESH
Série: STD4NK100Z
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 39 ns
Hauteur: 2,4 mm
Longueur: 10,1 mm
Produit: MOSFET de puissance
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 7,5 ns
Quantité du pack d'usine : 2500
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Taper: SuperMESH
Délai de mise en marche typique : 15 ns
Largeur: 6,6 mm
Poids unitaire : 0,011640 oz

 

♠ MOSFET de puissance SuperMESH™ canal N de qualité automobile 1 000 V, 5,6 Ω typ., 2,2 A, protégé par Zener dans un DPAK

Ce composant est un MOSFET de puissance canal N protégé par diode Zener, développé avec la technologie SuperMESH™ de STMicroelectronics, obtenue grâce à l'optimisation du schéma PowerMESH™ à base de bandes, largement reconnu par ST. Outre une réduction significative de la résistance à l'état passant, ce composant est conçu pour garantir une haute capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.


  • Précédent: Microcontrôleurs 8 bits STM8AF6266TCY – Microcontrôleur automobile 8 bits Rev X LIN 32 Ko 32 broches
  • Suivant: Microcontrôleurs ARM STM32F401RET6 – MCU MCU à efficacité dynamique STM32, cœur Arm Cortex-M4 DSP et FPU, jusqu'à 512 Ko de

  • • Conçu pour les applications automobiles et qualifié AEC-Q101

    • Capacité dv/dt extrêmement élevée

    • 100 % testé contre les avalanches

    • Frais d'entrée minimisés

    • Très faible capacité intrinsèque

    • Protégé par Zener

    • Changement d'application

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