STD35P6LLF6 MOSFET canal P 60V 0.025Ohm typ 35A STripFET F6 MOSFET de puissance
♠ Description du produit
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
Fabricant: | STMicroelectronics |
Catégorie de produit: | MOSFET |
RoHS : | Détails |
Technologie: | Si |
Style de montage : | CMS/CMS |
Paquet/Boîte : | TO-252-3 |
Polarité des transistors : | Canal P |
Nombre de canaux: | 1 canal |
Vds - Tension de claquage drain-source : | 60V |
Id - Courant de drain continu : | 35 A |
Rds activé - Résistance drain-source : | 28 mOhms |
Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 1V |
Qg - Frais de porte : | 30 nC |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
Température de fonctionnement maximale : | + 175 C |
Pd - Dissipation de puissance : | 70W |
Mode Canal : | Renforcement |
Nom commercial : | STripFET |
Série: | STD35P6LLF6 |
Emballage: | Bobine |
Emballage: | Couper le ruban |
Emballage: | SourisReel |
Marque: | STMicroelectronics |
Configuration: | Seul |
Temps d'automne : | 21 ns |
Type de produit: | MOSFET |
Temps de montée: | 39 ns |
Quantité de l'emballage d'usine : | 2500 |
Sous-catégorie : | MOSFET |
Type de transistor : | 1 MOSFET de puissance canal P |
Délai de désactivation typique : | 171 ns |
Délai de mise en marche typique : | 51,4 ns |
Unité de poids: | 0,011640 oz |
♠ STD35P6LLF6 Canal P 60 V, 0,025 Ω typ., MOSFET de puissance STripFET™ F6 35 A dans un boîtier DPAK
Ce dispositif est un MOSFET de puissance à canal P développé à l'aide de la technologie STripFET™ F6, avec une nouvelle structure de grille en tranchée.Le MOSFET de puissance résultant présente un RDS(on) très faible dans tous les boîtiers.
Très faible résistance à l'état passant
Charge d'entrée très faible
Haute résistance aux avalanches
Faible perte de puissance d'entraînement de grille
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