MOSFET SI1029X-T1-GE3 60 V Vds 20 V Vgs SC89-6 N&P PAIRE
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Emballage/Caisse : | SC-89-6 |
| Polarité du transistor : | Canal N, canal P |
| Nombre de canaux : | 2 canaux |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 60 V |
| Id - Courant de drain continu : | 500 mA |
| Rds On - Résistance Drain-Source : | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Tension grille-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 1 V |
| Qg - Frais de porte : | 750 pC, 1,7 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 °C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 280 mW |
| Mode canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | TrenchFET |
| Conditionnement: | Bobine |
| Conditionnement: | Couper le ruban |
| Conditionnement: | MouseReel |
| Marque: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Double |
| Transconductance directe - Min : | 200 mS, 100 mS |
| Hauteur: | 0,6 mm |
| Longueur: | 1,66 mm |
| Type de produit : | MOSFET |
| Série: | SI1 |
| Quantité du pack d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie: | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N, 1 canal P |
| Délai d'arrêt typique : | 20 ns, 35 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 15 ns, 20 ns |
| Largeur: | 1,2 mm |
| Partie # Alias : | SI1029X-GE3 |
| Poids unitaire : | 32 mg |
• Sans halogène Selon la définition de la norme IEC 61249-2-21
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• Très faible encombrement
• Commutation côté haut
• Faible résistance à l'état passant :
Canal N, 1,40 Ω
Canal P, 4 Ω
• Seuil bas : ± 2 V (typ.)
• Vitesse de commutation rapide : 15 ns (typ.)
• Protection ESD porte-source : 2 000 V
• Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE
• Remplacer le transistor numérique, le décaleur de niveau
• Systèmes fonctionnant sur batterie
• Circuits convertisseurs d'alimentation
