PAIRE MOSFET SI1029X-T1-GE3 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/boîte : | SC-89-6 |
| Polarité des transistors : | Canal N, canal P |
| Nombre de canaux: | 2 canaux |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 60V |
| Id - Courant de drain continu : | 500mA |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 1,4 ohms, 4 ohms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 1V |
| Qg - Frais de porte : | 750 pC, 1,7 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 280mW |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | TrenchFET |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Vishay Semiconducteurs |
| Configuration: | Double |
| Transconductance directe - Min : | 200 mS, 100 mS |
| Hauteur: | 0,6 millimètres |
| Longueur: | 1,66 millimètres |
| Type de produit: | MOSFET |
| Série: | SI1 |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N, 1 canal P |
| Délai de désactivation typique : | 20 ns, 35 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 15 ns, 20 ns |
| Largeur: | 1,2 mm |
| Alias de référence : | SI1029X-GE3 |
| Unité de poids: | 32mg |
• Sans halogène Selon la définition CEI 61249-2-21
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• Très faible encombrement
• Commutation côté haut
• Faible résistance à l'allumage :
Canal N, 1,40 Ω
Canal P, 4 Ω
• Seuil bas : ± 2 V (typ.)
• Vitesse de commutation rapide : 15 ns (typ.)
• Gate-Source ESD protégé : 2 000 V
• Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE
• Remplacer le transistor numérique, le décalage de niveau
• Systèmes alimentés par batterie
• Circuits convertisseurs d'alimentation
