Modules IGBT NVH820S75L4SPB 750 V, 820 A SSD
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
| Fabricant: | sursemi |
| Catégorie de produit : | Modules IGBT |
| Produit: | Modules silicium IGBT |
| Configuration: | Paquet de 6 |
| Tension collecteur-émetteur VCEO Max : | 750 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur : | 1,3 V |
| Courant collecteur continu à 25 °C : | 600 A |
| Courant de fuite grille-émetteur : | 500 µA |
| Pd - Dissipation de puissance : | 1000 W |
| Emballage / Étui : | 183AB |
| Température minimale de fonctionnement : | - 40 °C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 175 °C |
| Conditionnement: | Plateau |
| Marque: | sursemi |
| Tension maximale de l'émetteur de grille : | 20 V |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Type de produit : | Modules IGBT |
| Quantité du pack d'usine : | 4 |
| Sous-catégorie: | IGBT |
| Technologie: | Si |
| Nom commercial : | VE-Trac |
| Poids unitaire : | 2,843 livres |
♠ Module d'alimentation automobile 750 V, 820 A, refroidissement direct simple face, pack de 6, module direct VE-Trac NVH820S75L4SPB
Le NVH820S75L4SPB est un module d'alimentation de la famille VE−Trac Direct de modules d'alimentation hautement intégrés avec des empreintes standard de l'industrie pour les applications d'onduleur de traction hybride (HEV) et de véhicule électrique (EV).
Le module intègre six IGBT Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa dans une configuration de 6. Ces IGBT offrent une densité de courant élevée, une protection robuste contre les courts-circuits et une tension de blocage accrue. De plus, les IGBT FS4 750 V Narrow Mesa affichent de faibles pertes de puissance sous des charges plus faibles, ce qui contribue à améliorer l'efficacité globale du système dans les applications automobiles.
Pour un assemblage facile et fiable, une nouvelle génération de broches à insertion forcée est intégrée aux bornes de signal du module d'alimentation. De plus, le module d'alimentation est doté d'un dissipateur thermique optimisé à ailettes et broches dans sa plaque de base.
• Refroidissement direct avec dissipateur thermique à ailettes intégré
• Inductance parasite ultra-faible
• Tvjmax = 175°C Fonctionnement continu
• Faibles pertes VCESAT et de commutation
• IGBT Mesa étroit FS4 750 V de qualité automobile
• Technologies de puces à diodes à récupération rapide
• Substrat DBC isolé de 4,2 kV
• Topologie 6-pack facile à intégrer
• Cet appareil est sans plomb et conforme à la directive RoHS
• Onduleur de traction pour véhicules hybrides et électriques
• Convertisseurs haute puissance
