NVH820S75L4SPB Modules IGBT 750V, SSD 820A
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Catégorie de produit: | Modules IGBT |
| Produit: | Modules de silicium IGBT |
| Configuration: | 6 paquets |
| Tension collecteur-émetteur VCEO Max : | 750V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur : | 1,3 V |
| Courant collecteur continu à 25 C : | 600 A |
| Courant de fuite porte-émetteur : | 500 uA |
| Pd - Dissipation de puissance : | 1000W |
| Paquet/Boîte : | 183AB |
| Température de fonctionnement minimale : | - 40 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 175 C |
| Emballage: | Plateau |
| Marque: | onsemi |
| Tension maximale de l'émetteur de grille : | 20V |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Type de produit: | Modules IGBT |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 4 |
| Sous-catégorie : | IGBT |
| Technologie: | Si |
| Nom commercial : | VE-Trac |
| Unité de poids: | 2,843 livres |
♠ Module d'alimentation VE-Trac Direct Module NVH820S75L4SPB à refroidissement direct simple face 750 V, 820 A
Le NVH820S75L4SPB est un module d'alimentation de la famille VE−Trac Direct de modules d'alimentation hautement intégrés avec des empreintes standard de l'industrie pour les applications d'onduleur de traction hybride (HEV) et de véhicule électrique (EV).
Le module intègre six IGBT Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa dans une configuration à 6 modules, qui excelle dans la fourniture d'une densité de courant élevée, tout en offrant une protection robuste contre les courts-circuits et une tension de blocage accrue.De plus, les IGBT FS4 750 V Narrow Mesa présentent de faibles pertes de puissance lors de charges plus légères, ce qui contribue à améliorer l'efficacité globale du système dans les applications automobiles.
Pour une facilité et une fiabilité d'assemblage, une nouvelle génération de broches à emboîtement par pression est intégrée dans les bornes de signal du module de puissance.De plus, le module d'alimentation dispose d'un dissipateur thermique à ailettes optimisé dans la plaque de base.
• Refroidissement direct avec dissipateur thermique à ailettes intégré
• Inductance parasite ultra-faible
• Tvjmax = 175°C Fonctionnement continu
• Faibles pertes VCESAT et de commutation
• IGBT Mesa étroit FS4 750 V de qualité automobile
• Technologies de puce à diode à récupération rapide
• Substrat DBC isolé de 4,2 kV
• Topologie 6-pack facile à intégrer
• Cet appareil est sans Pb et est conforme RoHS
• Inverseur de traction pour véhicules hybrides et électriques
• Convertisseurs haute puissance
