TPS51200QDRCRQ1 Circuit intégré spécialisé de gestion de l'alimentation, nouveau et original
♠ Description du produit
Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
Fabricant: | Texas Instruments |
Catégorie de produit : | Spécialisé en gestion de l'énergie - PMIC |
RoHS : | Détails |
Série: | TPS51200-Q1 |
Taper: | Automobile |
Style de montage : | CMS/CMS |
Emballage / Étui : | VSON-10 |
Courant de sortie : | 600 mA |
Température minimale de fonctionnement : | - 40 °C |
Température de fonctionnement maximale : | + 125 °C |
Qualification: | AEC-Q100 |
Conditionnement: | Bobine |
Conditionnement: | Couper le ruban |
Conditionnement: | MouseReel |
Marque: | Texas Instruments |
Sensible à l'humidité : | Oui |
Courant d'alimentation de fonctionnement : | 700 µA |
Pd - Dissipation de puissance : | 0,79 W |
Type de produit : | Spécialisé en gestion de l'énergie - PMIC |
Quantité du pack d'usine : | 3000 |
Sous-catégorie: | PMIC - Circuits intégrés de gestion de l'alimentation |
Poids unitaire : | 0,001386 oz |
♠Régulateur de terminaison DDR source et récepteur TPS51200-Q1
Le TPS51200-Q1 est un régulateur de terminaison à double débit (DDR) à double source et à double source de données (DDR) spécialement conçu pour les systèmes à faible tension d'entrée, économiques et à faible bruit, où l'espace est un facteur clé. Le TPS51200-Q1 maintient une réponse transitoire rapide et ne nécessite qu'une capacité de sortie minimale de 20 μF. Il prend en charge la fonction de télédétection et toutes les exigences d'alimentation des terminaisons de bus DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 basse consommation et DDR4 VTT.
De plus, le dispositif TPS51200-Q1 fournit un signal PGOOD à drain ouvert pour surveiller la régulation de sortie et un signal EN qui peut être utilisé pour décharger VTT pendant S3 (suspension vers la RAM) pour les applications DDR.
Le dispositif TPS51200-Q1 est disponible dans le boîtier VSON-10 à haut rendement thermique et est classé
Vert et sans plomb. L'appareil est spécifié de –40 °C à 125 °C.
• Qualifié pour les applications automobiles
• Guide de test AEC-Q100 avec les résultats suivants :
– Niveau de température de l'appareil 1 : –40 °C à 125 °C Température ambiante de fonctionnement
– Classification ESD de l'appareil HBM Niveau 2
– Niveau de classification ESD du dispositif CDM C4B
• Tension d'entrée : prend en charge les rails 2,5 V et 3,3 V
• Plage de tension VLDOIN : 1,1 V à 3,5 V
• Régulateur de terminaison puits/source avec compensation de chute de tension
• Nécessite une capacité de sortie minimale de 20 μF (généralement 3 × 10 μF MLCC) pour les applications de terminaison de mémoire (DDR)
• PGOOD pour surveiller la régulation de la production
• Entrée EN
• L'entrée REFIN permet un suivi d'entrée flexible, soit directement, soit via un diviseur de résistance
• Télédétection (VOSNS)
• Référence tamponnée ±10 mA (REFOUT)
• Démarrage progressif, UVLO et OCL intégrés
• Arrêt thermique
• Conforme aux spécifications DDR, DDR2 JEDEC ; prend en charge les applications DDR3, DDR3L, DDR3 basse consommation et DDR4 VTT
• Boîtier VSON-10 avec tampon thermique exposé
• Régulateur de terminaison de mémoire pour DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 basse consommation et DDR4
• Ordinateur portable, ordinateur de bureau, serveur
• Télécommunications et Datacom, station de base GSM, TV LCD et PDP-TV, copieur et imprimante, décodeur