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Transistors bipolaires MUN5113DW1T1G – SS BR XSTR prépolarisés PNP 50 V

Transistors bipolaires MUN5113DW1T1G – SS BR XSTR PNP 50 V prépolarisés (image en vedette)
  • Transistors bipolaires MUN5113DW1T1G – SS BR XSTR prépolarisés PNP 50 V

Brève description :

Fabricants : onsemi

Catégorie de produit : Transistors bipolaires (BJT) – Réseaux, prépolarisés

Fiche de données: MUN5113DW1T1G

Description : TRANS 2PNP PREBIAS 0,25 W SOT363

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : Transistors bipolaires - Pré-polarisés
RoHS : Détails
Configuration: Double
Polarité du transistor : PNP
Résistance d'entrée typique : 47 kOhms
Rapport de résistance typique : 1
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SOT-363 (sans PB)-6
Gain de collecteur/base CC hfe Min : 80
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 50 V
Courant collecteur continu : - 100 mA
Courant de crête du collecteur CC : 100 mA
Pd - Dissipation de puissance : 256 mW
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Série: MUN5113DW1
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: sursemi
Gain de courant continu hFE Max : 80
Hauteur: 0,9 mm
Longueur: 2 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires - Prépolarisés
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: Transistors
Largeur: 1,25 mm
Poids unitaire : 0,000212 oz

♠ Transistors à double résistance de polarisation PNP R1 = 47 k, R2 = 47 k Transistors PNP avec réseau de résistances de polarisation monolithiques

Cette série de transistors numériques est conçue pour remplacer un seul composant et son réseau de résistances de polarisation externe. Le transistor à résistance de polarisation (BRT) est constitué d'un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base série et une résistance base-émetteur. Le BRT élimine ces composants individuels en les intégrant dans un seul composant. L'utilisation d'un BRT permet de réduire le coût du système et l'encombrement de la carte.


  • Précédent: MOSFET SUD50P10-43L-E3 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V
  • Suivant: Préamplificateurs de microphone SSM2166SZ-REEL PRÉAMPLI MICROPHONE AVEC COMPRESSION VAR

  • • Simplifie la conception des circuits

    • Réduit l'espace du tableau

    • Réduit le nombre de composants

    • Préfixe S et NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de changement de site et de contrôle ; qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP*

    • Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/BFR et sont conformes à la directive RoHS

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