Transistors bipolaires MMBT3904TT1G – BJT 200 mA 40 V NPN
♠ Description du produit
Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
Fabricant: | sursemi |
Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT |
RoHS : | Détails |
Style de montage : | CMS/CMS |
Emballage / Étui : | SC-75-3 |
Polarité du transistor : | NPN |
Configuration: | Célibataire |
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : | 40 V |
Tension collecteur-base VCBO : | 60 V |
Tension émetteur-base VEBO : | 6 V |
Tension de saturation collecteur-émetteur : | 300 mV |
Courant maximal du collecteur CC : | 200 mA |
Pd - Dissipation de puissance : | 225 mW |
Gain de bande passante produit fT : | 300 MHz |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 °C |
Série: | MMBT3904T |
Conditionnement: | Bobine |
Conditionnement: | Couper le ruban |
Conditionnement: | MouseReel |
Marque: | sursemi |
Courant collecteur continu : | 0,2 A |
Gain de collecteur/base CC hfe Min : | 40 |
Hauteur: | 0,75 mm |
Longueur: | 1,6 mm |
Type de produit : | BJT - Transistors bipolaires |
Quantité du pack d'usine : | 3000 |
Sous-catégorie: | Transistors |
Technologie: | Si |
Largeur: | 0,8 mm |
Poids unitaire : | 0,000089 oz |
• Préfixe S pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de changement de site et de contrôle ; qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS*