MMBT3904TT1G Transistors bipolaires – BJT 200mA 40V NPN

Brève description:

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – Bipolaire (BJT) – Simple

Fiche de données:MMBT3904TT1G

Désignation : TRANS NPN 40V 0.2A SOT416

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: onsemi
Catégorie de produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS : Détails
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : SC-75-3
Polarité des transistors : NPN
Configuration: Seul
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 40V
Collecteur - Tension de base VCBO : 60V
Emetteur - Tension de base VEBO : 6V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 300 mV
Courant de collecteur CC maximal : 200 mA
Pd - Dissipation de puissance : 225mW
Produit de bande passante de gain fT : 300 MHz
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Série: MMBT3904T
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 0,2 A
Collecteur DC/Base Gain hfe Min : 40
Hauteur: 0,75 millimètres
Longueur: 1,6 mm
Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Quantité de l'emballage d'usine : 3000
Sous-catégorie : Transistors
Technologie: Si
Largeur: 0,8 millimètres
Unité de poids: 0,000089 oz

  • Précédent:
  • Suivant:

  • • Préfixe S pour les applications automobiles et autres nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle ;Certifié AEC−Q101 et compatible PPAP

    • Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont conformes RoHS*

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