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Transistors bipolaires MMBT3904TT1G – BJT 200 mA 40 V NPN

Transistors bipolaires MMBT3904TT1G – BJT 200 mA 40 V NPN (Image en vedette)
  • Transistors bipolaires MMBT3904TT1G – BJT 200 mA 40 V NPN

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – Bipolaires (BJT) – Simples

Fiche de données:MMBT3904TT1G

Description : TRANS NPN 40 V 0,2 A SOT416

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : Transistors bipolaires - BJT
RoHS : Détails
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SC-75-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration: Célibataire
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 40 V
Tension collecteur-base VCBO : 60 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 300 mV
Courant maximal du collecteur CC : 200 mA
Pd - Dissipation de puissance : 225 mW
Gain de bande passante produit fT : 300 MHz
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Série: MMBT3904T
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: sursemi
Courant collecteur continu : 0,2 A
Gain de collecteur/base CC hfe Min : 40
Hauteur: 0,75 mm
Longueur: 1,6 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Largeur: 0,8 mm
Poids unitaire : 0,000089 oz

  • Précédent: STM32F410RBT7 FPU hautes performances et DSP, microcontrôleur Arm Cortex-M4
  • Suivant: Microcontrôleur STM32F410C8U6 Microcontrôleur à efficacité dynamique STM32 BAM

  • • Préfixe S pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de changement de site et de contrôle ; qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP

    • Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS*

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