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MGSF1N03LT1G MOSFET 30 V 2,1 A canal N

Image principale du MOSFET MGSF1N03LT1G 30 V 2,1 A canal N
  • MGSF1N03LT1G MOSFET 30 V 2,1 A canal N

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor
Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Simples
Fiche de données:MGSF1N03LT1G
Description : MOSFET N-CH 30 V 1,6 A SOT-23
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SOT-23-3
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 2.1 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 100 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Frais de porte : 6 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 690 mW
Mode canal : Renforcement
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: sursemi
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 8 ns
Hauteur: 0,94 mm
Longueur: 2,9 mm
Produit: MOSFET petit signal
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 1 ns
Série: MGSF1N03L
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Taper: MOSFET
Délai d'arrêt typique : 16 ns
Délai de mise en marche typique : 2,5 ns
Largeur: 1,3 mm
Poids unitaire : 0,000282 oz

♠ MOSFET – Simple, canal N, SOT-23 30 V, 2,1 A

Ces MOSFET miniatures à montage en surface et à faible RDS(on) garantissent une perte de puissance minimale et une faible consommation d'énergie, ce qui les rend idéaux pour les circuits de gestion de l'énergie sensibles à l'encombrement. Les applications typiques sont les convertisseurs CC-CC et la gestion de l'énergie dans les produits portables et alimentés par batterie, tels que les ordinateurs, les imprimantes, les cartes PCMCIA, les téléphones portables et sans fil.


  • Précédent: Diodes BAV99LT1G – Usage général, puissance, commutation 70 V 215 mA double
  • Suivant: Microcontrôleurs ARM STM32F103RBT6 – MCU 32 bits Cortex M3 128 Ko de mémoire FLASH 20 Ko de RAM

  • • Un faible RDS (activé) offre une efficacité supérieure et prolonge la durée de vie de la batterie
    • Le boîtier miniature SOT−23 à montage en surface permet d'économiser de l'espace sur la carte
    • Préfixe MV pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de site et de changement de contrôle ; qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP
    • Ces appareils sont sans plomb et conformes à la directive RoHS

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