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LM74800QDRRRQ1 3 V à 65 V, contrôleur de diode idéal pour l'automobile pilotant des NFET dos à dos 12-WSON -40 à 125

LM74800QDRRRQ1 3 V à 65 V, contrôleur de diode idéal pour l'automobile pilotant des NFET dos à dos 12-WSON -40 à 125 Image en vedette
  • LM74800QDRRRQ1 3 V à 65 V, contrôleur de diode idéal pour l'automobile pilotant des NFET dos à dos 12-WSON -40 à 125

Brève description :

Fabricants : Infineon Technologies
Catégorie de produit : PMIC – Commutateurs de distribution d'énergie, pilotes de charge
Fiche de données:BTS5215LAUMA1
Description : IC SWITCH PWR HISIDE DSO-12
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Texas Instruments
Catégorie de produit : Spécialisé en gestion de l'énergie - PMIC
Série: LM7480-Q1
Taper: Automobile
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : WSON-12
Courant de sortie : 2 A, 4 A
Plage de tension d'entrée : 3 V à 65 V
Plage de tension de sortie : 12,5 V à 14,5 V
Température minimale de fonctionnement : - 40 °C
Température de fonctionnement maximale : + 125 °C
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Texas Instruments
Tension d'entrée, max. : 65 V
Tension d'entrée, min. : 3 V
Tension de sortie maximale : 14,5 V
Sensible à l'humidité : Oui
Tension d'alimentation de fonctionnement : 6 V à 37 V
Type de produit : Spécialisé en gestion de l'énergie - PMIC
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: PMIC - Circuits intégrés de gestion de l'alimentation

♠ Contrôleur de diode idéal LM7480-Q1 avec protection contre les décharges de charge

Le contrôleur de diode idéal LM7480x-Q1 pilote et contrôle des MOSFET externes canal N dos à dos pour émuler un redresseur à diode idéal avec contrôle marche/arrêt du circuit d'alimentation et protection contre les surtensions. La large plage d'alimentation de 3 à 65 V permet de protéger et de contrôler les calculateurs automobiles alimentés par batterie de 12 et 24 V. Le dispositif peut supporter et protéger les charges contre des tensions d'alimentation négatives jusqu'à -65 V. Un contrôleur de diode idéal intégré (DGATE) pilote le premier MOSFET en remplacement d'une diode Schottky pour la protection contre les inversions d'entrée et le maintien de la tension de sortie. Avec un second MOSFET sur le circuit d'alimentation, le dispositif permet la déconnexion de la charge (contrôle marche/arrêt) et la protection contre les surtensions grâce au contrôle HGATE. Le dispositif dispose d'une fonction de coupure réglable contre les surtensions. Le LM7480-Q1 existe en deux versions : LM74800-Q1 et LM74801-Q1. Le LM74800-Q1 utilise un blocage du courant inverse grâce à une régulation linéaire et un schéma comparateur, contrairement au LM74801-Q1 qui prend en charge un schéma comparateur. Grâce à la configuration à drain commun des MOSFET de puissance, le point milieu peut être utilisé pour des conceptions en OU utilisant une autre diode idéale. Le LM7480x-Q1 a une tension nominale maximale de 65 V. Les charges peuvent être protégées contre les surtensions transitoires prolongées, comme les décharges de charge non supprimées de 200 V dans les systèmes de batterie 24 V, en configurant le composant avec des MOSFET externes en topologie à source commune.


  • Précédent: Circuits intégrés de sécurité/d'authentification ATECC508A-MAHDA-T ECDH/ECC 10 Ko 8 ld UDFN I2C, T&R
  • Suivant: Convertisseurs analogique-numérique AD4134BCPZ 24 bits 4 canaux Sim 1,5 MSPS de précision

  • • Qualifié AEC-Q100 pour les applications automobiles
    – Niveau de température de l’appareil 1 :
    Plage de température ambiante de fonctionnement de –40 °C à +125 °C
    – Appareil HBM Classification ESD niveau 2
    – Niveau de classification ESD de l'appareil CDM C4B
    • Plage d'entrée de 3 V à 65 V
    • Protection d'entrée inversée jusqu'à –65 V
    • Pilote des MOSFET externes à canal N dos à dos dans des configurations à drain commun et à source commune
    • Fonctionnement idéal de la diode avec régulation de chute de tension directe de 10,5 mV A à C (LM74800-Q1)
    • Seuil de détection inverse bas (–4,5 mV) avec réponse rapide (0,5 µs)
    • Courant d'activation de la porte de crête de 20 mA (DGATE)
    • Courant de coupure DGATE de crête de 2,6 A
    • Protection réglable contre les surtensions
    • Faible courant d'arrêt de 2,87 µA (EN/UVLO=Faible)
    • Conforme aux exigences transitoires de la norme automobile ISO7637 avec une diode TVS adaptée
    • Disponible dans un boîtier WSON 12 broches peu encombrant

    • Protection de la batterie automobile
    – Contrôleur de domaine ADAS
    – ECU de caméra
    – Unité principale
    – HUB USB
    • ORing actif pour une alimentation redondante

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