Détail du produit
Étiquettes de produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | IXYS |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | TO-263-3 |
| Polarité des transistors : | Canal N |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 650V |
| Id - Courant de drain continu : | 22 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 160 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 2,7 V |
| Qg - Frais de porte : | 38 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 360W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | HiPerFET |
| Emballage: | Tube |
| Marque: | IXYS |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 10ns |
| Transconductance directe - Min : | 8S |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 35ns |
| Série: | 650V Ultra Jonction X2 |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 50 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Délai de désactivation typique : | 33 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 38 ns |
| Unité de poids: | 0,139332 oz |
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