IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150 V HEXFET 580 mOhms 44 nC
♠ Description du produit
| Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Emballage / Étui : | TO-252-3 |
| Polarité du transistor : | Canal P |
| Nombre de canaux : | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 150 V |
| Id - Courant de drain continu : | 13 A |
| Rds On - Résistance Drain-Source : | 580 mOhms |
| Vgs - Tension grille-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 4 V |
| Qg - Frais de porte : | 66 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 175 °C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 110 W |
| Mode canal : | Renforcement |
| Conditionnement: | Bobine |
| Conditionnement: | Couper le ruban |
| Conditionnement: | MouseReel |
| Marque: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Célibataire |
| Temps d'automne : | 37 ns |
| Transconductance directe - Min : | 3,6 S |
| Hauteur: | 2,3 mm |
| Longueur: | 6,5 mm |
| Type de produit : | MOSFET |
| Temps de montée : | 36 ns |
| Quantité du pack d'usine : | 2000 |
| Sous-catégorie: | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal P |
| Taper: | Préliminaire |
| Délai d'arrêt typique : | 53 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 14 ns |
| Largeur: | 6,22 mm |
| Partie # Alias : | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Poids unitaire : | 0,011640 oz |
♠ MOSFET de puissance HEXFET® IRFR6215PbF IRFU6215PbF
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des transistorstechniques de traitement pour obtenir la résistance à l'état passant la plus faible possible parsurface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapideet la conception robuste des appareils que les MOSFET de puissance HEXFET sontbien connu pour, fournit au concepteur un appareil extrêmement efficacepour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le montage en surface en phase vapeur,techniques de soudure infrarouge ou à la vague. La version à fil droit(série IRFU) est destinée aux applications de montage traversant.des niveaux de dissipation allant jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans une surface typiquemonter des applications.
Canal P
Température de fonctionnement de 175 °C
Montage en surface (IRFR6215)
Câble droit (IRFU6215)
Technologie de processus avancée
Commutation rapide
Entièrement homologué pour les avalanches
Sans plomb
