IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | TO-252-3 |
| Polarité des transistors : | Canal P |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 150V |
| Id - Courant de drain continu : | 13 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 580 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 4V |
| Qg - Frais de porte : | 66 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 175 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 110W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 37 ns |
| Transconductance directe - Min : | 3,6S |
| Hauteur: | 2,3 millimètres |
| Longueur: | 6,5 mm |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 36 ns |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 2000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal P |
| Taper: | Préliminaire |
| Délai de désactivation typique : | 53 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 14 ns |
| Largeur: | 6,22 millimètres |
| Alias de référence : | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Unité de poids: | 0,011640 oz |
♠ MOSFET de puissance IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET®
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent destechniques de traitement pour obtenir la résistance à l'état passant la plus faible possible pardomaine du silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapideet la conception d'appareil robuste que les MOSFET de puissance HEXFET sontbien connu pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficacepour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour un montage en surface en phase vapeur,techniques de brasage infrarouge ou à la vague.La version à plomb droit(série IRFU) est destiné aux applications de montage traversant.Pouvoirdes niveaux de dissipation jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans une surface typiqueapplications de montage.
Canal P
Température de fonctionnement de 175 °C
Montage en surface (IRFR6215)
Fil droit (IRFU6215)
Technologie de processus avancée
Commutation rapide
Entièrement classé Avalanche
Sans plomb
