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IPLU300N04S4-R8 MOSFET CANAL N 30/40 V

Image principale du MOSFET IPLU300N04S4-R8 à canal N 30/40 V
  • IPLU300N04S4-R8 MOSFET CANAL N 30/40 V

Brève description :

Fabricants : Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
Fiche de données:IPLU300N04S4-R8
Description :Transistor de puissance
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage/Caisse : H-PSOF-8
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 40 V
Id - Courant de drain continu : 300 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 770 uOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V
Qg - Frais de porte : 221 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 175 °C
Pd - Dissipation de puissance : 429 O
Mode canal : Renforcement
Qualification: AEC-Q101
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 61 ns
Hauteur: 2,3 mm
Longueur: 10,37 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 22 ns
Série: XPLU300N04
Quantité du pack d'usine : 2000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Délai d'arrêt typique : 68 ns
Délai de mise en marche typique : 50 ns
Largeur: 9,9 mm
Partie # Alias : SP001063102 IPLU300N04S4R8XTMA1
Poids unitaire : 65 mg

  • Précédent: W9864G6KH-6 DRAM 64 Mo, SDRAM SDR, x16, 166 MHz, 46 nm
  • Suivant: IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

  • • Canal N – Mode d'amélioration

    • Qualifié AEC

    • MSL1 jusqu'à 260°C de refusion maximale

    • Température de fonctionnement de 175 °C

    • Produit écologique (conforme RoHS) ; 100 % sans plomb

    • Rds ultra faible (activé)

    • 100 % testé contre les avalanches

     

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