IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Description du produit
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
Fabricant: | Infineon |
Catégorie de produit: | MOSFET |
Technologie: | Si |
Style de montage : | CMS/CMS |
Paquet/Boîte : | TO-252-3 |
Polarité des transistors : | Canal N |
Nombre de canaux: | 1 canal |
Vds - Tension de claquage drain-source : | 40V |
Id - Courant de drain continu : | 50 A |
Rds activé - Résistance drain-source : | 7,2 mOhms |
Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 2V |
Qg - Frais de porte : | 22,4 nC |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
Température de fonctionnement maximale : | + 175 C |
Pd - Dissipation de puissance : | 46W |
Mode Canal : | Renforcement |
Qualification: | AEC-Q101 |
Nom commercial : | OptiMOS |
Emballage: | Bobine |
Emballage: | Couper le ruban |
Emballage: | SourisReel |
Marque: | Infineon Technologies |
Configuration: | Seul |
Temps d'automne : | 6 ns |
Hauteur: | 2,3 millimètres |
Longueur: | 6,5 mm |
Type de produit: | MOSFET |
Temps de montée: | 7 ns |
Série: | OptiMOS-T2 |
Quantité de l'emballage d'usine : | 2500 |
Sous-catégorie : | MOSFET |
Type de transistor : | 1 canal N |
Délai de désactivation typique : | 5 ns |
Délai de mise en marche typique : | 5 ns |
Largeur: | 6,22 millimètres |
Alias de référence : | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Unité de poids: | 0,011640 oz |
• Canal N - Mode d'amélioration
• Qualifié AEC
• MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion maximale
• Température de fonctionnement de 175 °C
• Produit vert (conforme RoHS)
• Testé à 100 % contre les avalanches