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FQU2N60CTU MOSFET 600 V N-Channel Adv Q-FET série C

FQU2N60CTU MOSFET 600 V N-Channel Adv Q-FET Série C (Image en vedette)
  • FQU2N60CTU MOSFET 600 V N-Channel Adv Q-FET série C

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor
Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Simples
Fiche de données:FQU2N60CTU
Description : MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : Trou traversant
Emballage / Étui : TO-251-3
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 600 V
Id - Courant de drain continu : 1,9 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 4,7 Ohms
Vgs - Tension grille-source : - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V
Qg - Frais de porte : 12 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 2,5 W
Mode canal : Renforcement
Conditionnement: Tube
Marque: onsemi / Fairchild
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 28 ns
Transconductance directe - Min : 5 S
Hauteur: 6,3 mm
Longueur: 6,8 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 25 ns
Série: FQU2N60C
Quantité du pack d'usine : 5040
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Taper: MOSFET
Délai d'arrêt typique : 24 ns
Délai de mise en marche typique : 9 ns
Largeur: 2,5 mm
Poids unitaire : 0,011993 oz

♠ MOSFET – Canal N, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7

Ce MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement est fabriqué à l'aide des technologies brevetées DMOS et Planar Strip d'On Semiconductor. Cette technologie MOSFET avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance à l'état passant et offrir des performances de commutation supérieures et une énergie d'avalanche élevée. Ces composants conviennent aux alimentations à découpage, à la correction active du facteur de puissance (PFC) et aux ballasts de lampes électroniques.


  • Précédent: Régulateurs de tension LDO LP5907UVX-3.3/NOPB 250 mA, à très faible bruit
  • Suivant: Circuit intégré de commutation analogique TS3A4741DGKR, alimentation simple 0,8 ohm, double SPST

  • • 1,9 A, 600 V, RDS (activé) = 4,7 (max.) à VGS = 10 V, ID = 0,95 A
    • Faible charge de grille (typ. 8,5 nC)
    • Faible Crss (typ. 4,3 pF)
    • 100 % testé contre les avalanches
    • Ces appareils sont sans halogène et conformes à la directive RoHS

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