FDV301N MOSFET N-Ch numérique
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | SOT-23-3 |
| Polarité des transistors : | Canal N |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 25V |
| Id - Courant de drain continu : | 220mA |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 5 ohms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 700mV |
| Qg - Frais de porte : | 700 pièces |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 350mW |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 6 ns |
| Transconductance directe - Min : | 0,2 S |
| Hauteur: | 1,2 mm |
| Longueur: | 2,9 millimètres |
| Produit: | Petit signal MOSFET |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 6 ns |
| Série: | FDV301N |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N |
| Taper: | FET |
| Délai de désactivation typique : | 3,5 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 3,2 ns |
| Largeur: | 1,3 mm |
| Alias de référence : | FDV301N_NL |
| Unité de poids: | 0,000282 oz |
♠ FET numérique, canal N FDV301N, FDV301N-F169
Ce transistor à effet de champ en mode d'amélioration de niveau logique à canal N est produit à l'aide de la technologie DMOS exclusive à haute densité de cellules d'onsemi.Ce procédé à très haute densité est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant.Ce dispositif a été spécialement conçu pour les applications basse tension en remplacement des transistors numériques.Étant donné que les résistances de polarisation ne sont pas nécessaires, ce FET à canal N peut remplacer plusieurs transistors numériques différents, avec différentes valeurs de résistance de polarisation.
• 25 V, 0,22 A en continu, 0,5 A en crête
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Exigences d'entraînement de grille de très bas niveau permettant un fonctionnement direct dans des circuits de 3 V.VGS(th) < 1,06 V
• Gate−Source Zener pour la robustesse ESD.> Modèle de corps humain 6 kV
• Remplacer plusieurs transistors numériques NPN par un FET DMOS
• Cet appareil est sans plomb et sans halogénure
