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Transistor à canal P MOSFET FDMC6679AZ -30 V

Image vedette du transistor MOSFET FDMC6679AZ - 30 V à canal P
  • Transistor à canal P MOSFET FDMC6679AZ -30 V

Brève description :

Fabricants : onsemi

Catégorie de produit : MOSFET

Fiche de données:FDMC6679AZ

Description :MOSFET P-CH 30V POWER33

Statut RoHS : conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : Puissance-33-8
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 20 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 10 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,8 V
Qg - Frais de porte : 37 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 41 W
Mode canal : Renforcement
Nom commercial : PowerTrench
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: onsemi / Fairchild
Configuration: Célibataire
Transconductance directe - Min : 46 S
Hauteur: 0,8 mm
Longueur: 3,3 mm
Type de produit : MOSFET
Série: FDMC6679AZ
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal P
Largeur: 3,3 mm
Poids unitaire : 0,005832 oz

♠ FDMC6679AZ MOSFET PowerTrench® à canal P -30 V, -20 A, 10 mΩ

Le FDMC6679AZ a été conçu pour minimiser les pertes dans les applications de commutation de charge. Les avancées technologiques en matière de silicium et de boîtier ont été combinées pour offrir la plus faible protection contre les rDS(on) et les décharges électrostatiques.


  • Précédent: Microcontrôleurs ARM STM32F405RGT6 MCU ARM M4 1024 FLASH 168 MHz 192 Ko SRAM
  • Suivant: Microcontrôleurs ARM STM32F405VGT6 : MCU ARM M4, 1 024 Flash, 168 MHz, 192 Ko de SRAM

  • • Max rDS(on) = 10 mΩ à VGS = -10 V, ID = -11,5 A

    • Max rDS(on) = 18 mΩ à VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A

    • Niveau de protection ESD HBM de 8 kV typique (note 3)

    • Plage VGSS étendue (-25 V) pour les applications sur batterie

    • Technologie de tranchée haute performance pour un rDS(on) extrêmement faible

    • Capacité de gestion de puissance et de courant élevée

    • La terminaison est sans plomb et conforme à la directive RoHS

     

    • Commutateur de charge dans un ordinateur portable et un serveur

    • Gestion de l'alimentation de la batterie de l'ordinateur portable

     

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