Détail du produit
Étiquettes de produit
| Attribut du produit | Valeur d'attribution |
| Fabricant : | onsemi |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie : | Si |
| Estilo de montage: | CMS/CMS |
| Paquete / Cubierta : | DPAK-3 |
| Polarité du transistor : | Canal N |
| Numéro de canaux : | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente : | 100V |
| Id - Corriente de drenaje continua : | 42 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 31 mOhms |
| Vgs - Tension entre la porte et la source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente : | 1V |
| Qg - Carga de puerta : | 26 nC |
| Température de travail minimale : | - 55 C |
| Température de travail maximale : | + 150 C |
| Dp - Disipation de puissance : | 54W |
| Canal de Modo : | Renforcement |
| Nom commercial : | PowerTrench |
| Empaqué : | Bobine |
| Empaqué : | Couper le ruban |
| Empaqué : | SourisReel |
| Marque : | onsemi / Fairchild |
| Configuration : | Seul |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 31 S |
| Altura : | 2,39 millimètres |
| Longitude : | 6,73 millimètres |
| Type de produit : | MOSFET |
| Série : | FDD86102LZ |
| Cantidad de empaque de fábrica : | 2500 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N |
| Ancho : | 6,22 millimètres |
| Peso de l'unité : | 0,011640 oz |
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