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FDC8878 MOSFET 30 V à canal N PowerTrench MOSFET

Image vedette du MOSFET PowerTrench FDC8878 30 V à canal N
  • FDC8878 MOSFET 30 V à canal N PowerTrench MOSFET
  • FDC8878 MOSFET 30 V à canal N PowerTrench MOSFET

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Simples

Fiche de données:FDC8878

Description : MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur d'attribution
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet / Couverture : SSOT-6
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension perturbatrice entre le jeu et la source : 30 V
Id - Corriente de drenaje continua: 8 A
Rds On - Résistance entre le jeu et la source : 16 mOhms
Vgs - Tension entre la porte et la source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension ombrale entre la porte et la source : 1,2 V
Qg - Charge de porte : 18 nC
Température minimale du travail : - 55 °C
Température de travail maximale : + 150 °C
Dp - Disipation de puissance : 800 mW
Mode canal : Renforcement
Nombre commercial : PowerTrench
Empaqueté : Bobine
Empaqueté : Couper le ruban
Empaqueté : MouseReel
Marque: onsemi / Fairchild
Configuration: Célibataire
Hauteur: 1,1 mm
Longitude: 2,9 mm
Type de produit : MOSFET
Série: FDC8878
Capacité d'emballage de l'usine : 3000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Ancho: 1,6 mm
Poids de l'unité : 0,001270 oz

  • Précédent: FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20 V
  • Suivant: Régulateurs de tension LDO TLV70218DBVR 300 mA Low IQLDO Reg

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