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FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25 V

Image principale du MOSFET SSOT-6 N-CH 25 V FDC6303N
  • FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25 V

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Réseaux

Fiche de données:FDC6303N

Description : MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SSOT-6
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 25 V
Id - Courant de drain continu : 680 mA
Rds On - Résistance Drain-Source : 450 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 650 mV
Qg - Frais de porte : 2,3 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 900 mW
Mode canal : Renforcement
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: onsemi / Fairchild
Configuration: Double
Temps d'automne : 8,5 ns
Transconductance directe - Min : 0,145 S
Hauteur: 1,1 mm
Longueur: 2,9 mm
Produit: MOSFET petit signal
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 8,5 ns
Série: FDC6303N
Quantité du pack d'usine : 3000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 2 canaux N
Taper: transistor à effet de champ
Délai d'arrêt typique : 17 ns
Délai de mise en marche typique : 3 ns
Largeur: 1,6 mm
Partie # Alias : FDC6303N_NL
Poids unitaire : 0,001270 oz

  • Précédent: Microcontrôleurs ARM STM32L431RCT6 – MCU FPU ultra-basse consommation MCU Arm Cortex-M4 80 MHz 256 Ko de mémoire Flash
  • Suivant: Microcontrôleurs ARM STM32F407ZGT6, circuits intégrés, MCU, ARM M4, 1 024 Flash, 192 Ko de SRAM

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