DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, CANAL N

Brève description:

Fabricants : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Arrays
Fiche de données:DMN2400UV-7
Désignation : MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: Diodes incorporées
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : SOT-563-6
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 20V
Id - Courant de drain continu : 1,33 A
Rds activé - Résistance drain-source : 480 mOhms
Vgs - Tension porte-source : - 12 V, + 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 500 mV
Qg - Frais de porte : 500 pièces
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 530mW
Mode Canal : Renforcement
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: Diodes incorporées
Configuration: Double
Temps d'automne : 10,54 ns
Produit: Petit signal MOSFET
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 7,28 ns
Série: DMN2400
Quantité de l'emballage d'usine : 3000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 2 canaux N
Délai de désactivation typique : 13,74 ns
Délai de mise en marche typique : 4,06 ns
Unité de poids: 0,000212 oz

 


  • Précédent:
  • Suivant:

  • · Canal P + N complémentaire
    · Mode d'amélioration
    · Niveau Super Logic (nominal 2,5 V)
    · Drain commun
    · Classé avalanche
    · Température de fonctionnement de 175 °C
    · Qualifié selon AEC Q101
    · 100 % sans plomb ;Conforme RoHS
    · Sans halogène selon IEC61246-21

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