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Paire de transistors MOSFET DMC4015SSD-13, 40 Vdss, 20 Vgss

DMC4015SSD-13 Paire de transistors MOSFET améliorés FET 40 Vdss 20 Vgss (Image en vedette)
  • Paire de transistors MOSFET DMC4015SSD-13, 40 Vdss, 20 Vgss

Brève description :

Fabricants : Diodes Incorporated

Catégorie de produit : MOSFET

Fiche de données:DMC4015SSD-13

Description : Circuit intégré OPAMP VFB 1 SOT23-5

Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Description

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Fabricant: Diodes Incorporées
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SOIC-8
Polarité du transistor : Canal N, canal P
Nombre de canaux : 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 40 V
Id - Courant de drain continu : 12,2 A, 8,8 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 15 mOhms, 29 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Frais de porte : 40 nC, 34 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 1,7 W
Mode canal : Renforcement
Nom commercial : PowerDI
Série: DMC4015
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Diodes Incorporées
Configuration: Double
Temps d'automne : 6,3 ns, 30 ns
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 5,7 ns, 2,8 ns
Quantité du pack d'usine : 2500
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N, 1 canal P
Délai d'arrêt typique : 23 ns, 83 ns
Délai de mise en marche typique : 5,1 ns, 3,9 ns
Poids unitaire : 0,026455 oz

 

DMC4015SSD-13

 


  • Précédent: Accéléromètres MEMS 3 axes ultra-basse consommation LIS3DHTR « Nano »
  • Suivant: Minuteries et produits d'assistance MIC1557YM5-TR Minuterie/oscillateur RC '555' de 2,7 V à 18 V avec arrêt

    • Faible capacité d'entrée
    • Faible résistance à l'état passant
    • Vitesse de commutation rapide
    • Entièrement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS (Notes 1 et 2)
    • Sans halogène ni antimoine. Appareil « vert » (Note 3)
    • Convertisseurs DC-DC
    • Fonctions de gestion de l'alimentation
    • Rétroéclairage

    Ce MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité.

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