BSS123LT1G MOSFET 100V 170mA Canal N

Brève description:

Fabricants : ON Semiconductor

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Single

Fiche de données:BSS123LT1G

Descriptif : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Statut RoHS : Conforme RoHS


Détail du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant: onsemi
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Paquet/Boîte : SOT-23-3
Polarité des transistors : Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 100V
Id - Courant de drain continu : 170mA
Rds activé - Résistance drain-source : 6 ohms
Vgs - Tension porte-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,6V
Qg - Frais de porte : -
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 225mW
Mode Canal : Renforcement
Emballage: Bobine
Emballage: Couper le ruban
Emballage: SourisReel
Marque: onsemi
Configuration: Seul
Transconductance directe - Min : 80 millisecondes
Hauteur: 0,94 millimètre
Longueur: 2,9 millimètres
Produit: Petit signal MOSFET
Type de produit: MOSFET
Série: BSS123L
Quantité de l'emballage d'usine : 3000
Sous-catégorie : MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Taper: MOSFET
Délai de désactivation typique : 40ns
Délai de mise en marche typique : 20ns
Largeur: 1,3 mm
Unité de poids: 0,000282 oz

 


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  • • Préfixe BVSS pour l'automobile et autres applications nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle ;Certifié AEC−Q101 et compatible PPAP

    • Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS

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