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BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80 V 100 A

Image principale du MOSFET BSC030N08NS5ATMA1, canal N, 80 V, 100 A
  • BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80 V 100 A

Brève description :

Fabricants : Infineon Technologies

Catégorie de produit : Transistors – FET, MOSFET – Simples

Fiche de données: BSC030N08NS5ATMA1

Description :MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Statut RoHS : conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
RoHS : Détails
Technologie: Si
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : TDSON-8
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 80 V
Id - Courant de drain continu : 100 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 4,5 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2,2 V
Qg - Frais de porte : 61 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 139 W
Mode canal : Renforcement
Nom commercial : OptiMOS
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 13 ns
Transconductance directe - Min : 55 S
Hauteur: 1,27 mm
Longueur: 5,9 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 12 ns
Série: OptiMOS 5
Quantité du pack d'usine : 5000
Sous-catégorie: MOSFET
Type de transistor : 1 canal N
Délai d'arrêt typique : 43 ns
Délai de mise en marche typique : 20 ns
Largeur: 5,15 mm
Partie # Alias : BSC030N08NS5 SP001077098
Poids unitaire : 0,017870 oz

 


  • Précédent: Circuits intégrés de commutation multiplexeur DG409DY-T1-E3, double différentiel 4:1, multiplexeur/MUX 2 bits
  • Suivant: Moteur pas à pas basse tension A3906SESTR-T. Double pilote CC MTR

  • •Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.

    •100 % testé contre les avalanches

    • Résistance thermique supérieure

    • Canal N

    • Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles

    • Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS

    • Sans halogène selon la norme IEC61249-2-21

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