BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80 V 100 A
♠ Description du produit
Attribut du produit | Valeur de l'attribut |
Fabricant: | Infineon |
Catégorie de produit : | MOSFET |
RoHS : | Détails |
Technologie: | Si |
Style de montage : | CMS/CMS |
Emballage / Étui : | TDSON-8 |
Polarité du transistor : | canal N |
Nombre de canaux : | 1 canal |
Vds - Tension de claquage drain-source : | 80 V |
Id - Courant de drain continu : | 100 A |
Rds On - Résistance Drain-Source : | 4,5 mOhms |
Vgs - Tension grille-source : | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 2,2 V |
Qg - Frais de porte : | 61 nC |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 °C |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 °C |
Pd - Dissipation de puissance : | 139 W |
Mode canal : | Renforcement |
Nom commercial : | OptiMOS |
Conditionnement: | Bobine |
Conditionnement: | Couper le ruban |
Conditionnement: | MouseReel |
Marque: | Infineon Technologies |
Configuration: | Célibataire |
Temps d'automne : | 13 ns |
Transconductance directe - Min : | 55 S |
Hauteur: | 1,27 mm |
Longueur: | 5,9 mm |
Type de produit : | MOSFET |
Temps de montée : | 12 ns |
Série: | OptiMOS 5 |
Quantité du pack d'usine : | 5000 |
Sous-catégorie: | MOSFET |
Type de transistor : | 1 canal N |
Délai d'arrêt typique : | 43 ns |
Délai de mise en marche typique : | 20 ns |
Largeur: | 5,15 mm |
Partie # Alias : | BSC030N08NS5 SP001077098 |
Poids unitaire : | 0,017870 oz |
•Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.
•100 % testé contre les avalanches
• Résistance thermique supérieure
• Canal N
• Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
• Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS
• Sans halogène selon la norme IEC61249-2-21