BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A
♠ Description du produit
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| Technologie: | Si |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Paquet/Boîte : | TDSON-8 |
| Polarité des transistors : | Canal N |
| Nombre de canaux: | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source : | 80V |
| Id - Courant de drain continu : | 100 A |
| Rds activé - Résistance drain-source : | 4,5 mOhms |
| Vgs - Tension porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | 2,2 V |
| Qg - Frais de porte : | 61 nC |
| Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
| Pd - Dissipation de puissance : | 139W |
| Mode Canal : | Renforcement |
| Nom commercial : | OptiMOS |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Seul |
| Temps d'automne : | 13 ns |
| Transconductance directe - Min : | 55 S |
| Hauteur: | 1,27 millimètres |
| Longueur: | 5,9 millimètres |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 12 ns |
| Série: | OptiMOS 5 |
| Quantité de l'emballage d'usine : | 5000 |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Type de transistor : | 1 canal N |
| Délai de désactivation typique : | 43 ns |
| Délai de mise en marche typique : | 20ns |
| Largeur: | 5,15 millimètres |
| Alias de référence : | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| Unité de poids: | 0,017870 oz |
• Optimisé pour SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.
• 100 % testé contre les avalanches
• Résistance thermique supérieure
• Canal N
• Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
• Placage de plomb sans plomb ; conforme RoHS
• Sans halogène selon IEC61249-2-21
