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Transistors bipolaires 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3 A 50 V

Transistors bipolaires 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3 A 50 V (image principale)
  • Transistors bipolaires 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3 A 50 V

Brève description :

Fabricants : ON Semiconductor
Catégorie de produit : Transistors – Bipolaires (BJT) – Simples
Fiche de données:2SC5964-TD-H
Description : TRANSFORMATEUR NPN 50 V 3 A
Statut RoHS : Conforme RoHS


Envoyez-nous un e-mail

Détails du produit

Caractéristiques

Applications

Étiquettes de produit

♠ Description du produit

Attribut du produit Valeur de l'attribut
Fabricant: sursemi
Catégorie de produit : Transistors bipolaires - BJT
Style de montage : CMS/CMS
Emballage / Étui : SOT-89-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration: Célibataire
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 50 V
Tension collecteur-base VCBO : 100 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 100 mV
Courant maximal du collecteur CC : 3 A
Pd - Dissipation de puissance : 3,5 W
Gain de bande passante produit fT : 380 MHz
Température minimale de fonctionnement : -
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Série: 2SC5964
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Couper le ruban
Conditionnement: MouseReel
Marque: sursemi
Courant collecteur continu : 3 A
Gain de collecteur/base CC hfe Min : 200
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Quantité du pack d'usine : 1000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Poids unitaire : 0,004603 oz

  • Précédent: Régulateurs de tension à découpage TPS563210DDFR
  • Suivant: Régulateurs de tension à découpage ADP2301AUJZ-R7 20 V, 1,2 A, non synchronisés, abaisseurs CC-CC

  • • Adoption du processus MBIT

    • Faible tension de saturation collecteur-émetteur

    • Conformité sans halogène

    • Grande capacité de courant

    • Commutation à grande vitesse

     

    •Convertisseur DC/DC, pilotes de relais, pilotes de lampe, pilote de moteur, flash

     

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